- NXP και TSMC αναπτύσσουν από κοινού ενσωματωμένο MRAM IP στην τεχνολογία TSMC 16 NM FinFET
- Με MRAM, οι κατασκευαστές αυτοκινήτων μπορούν να ξεδιπλώσουν αποτελεσματικότερα τα νέα χαρακτηριστικά γνωρίσματα, να επιταχύνουν πέρα από - αναπροσαρμογές αέρα (OTA) και να αφαιρέσουν τις δυσχέρειες παραγωγής
- Η επόμενη γενιά NXP των ζωνικών επεξεργαστών S32 και ο γενικός σκοπός αυτοκίνητο MCUs σχεδιάζονται για να είναι το πρώτο προϊόν στο δείγμα στις αρχές του 2025
NXP ανήγγειλε σήμερα τη συνεργασία του με TSMC για να παραδώσει το πρώτο αυτοκίνητο ενσωματωμένο MRAM της βιομηχανίας (μαγνητική μνήμη τυχαίας προσπέλασης) στην τεχνολογία 16 NM FinFET. Σαν μετάβαση αυτοκινητοβιομηχανιών στα λογισμικό-καθορισμένα οχήματα (SDVs), πρέπει να υποστηρίξουν τις πολλαπλάσιες γενεές των βελτιώσεων λογισμικού σε μια ενιαία πλατφόρμα υλικού. Η συγκέντρωση αυτοκίνητων επεξεργαστών S32 NXP των υψηλής απόδοσης με τη γρήγορη και ιδιαίτερα αξιόπιστη αμετάβλητη μνήμη επόμενης γενιάς στην τεχνολογία 16 NM FinFET παρέχει την ιδανική πλατφόρμα υλικού για αυτήν την μετάβαση.
MRAM μπορεί να ενημερώσει 20MB του κώδικα σε ~3 δευτερόλεπτα έναντι των αστραπιαίων σκέψεων που παίρνουν περίπου 1 λεπτό, που ελαχιστοποιεί το χρόνο διακοπής που συνδέεται με τις ενημερώσεις λογισμικού και που επιτρέπει στους κατασκευαστές αυτοκινήτων για να αποβάλουν τις δυσχέρειες που προκύπτουν από τους μακροχρόνιους χρόνους προγραμματισμού ενότητας. Επιπλέον, MRAM παρέχει μια ιδιαίτερα αξιόπιστη τεχνολογία για τα αυτοκίνητα σχεδιαγράμματα αποστολής με την προσφορά μέχρι ένα εκατομμύριο κύκλων αναπροσαρμογών, ένα επίπεδο αντοχής 10x μεγαλύτερης από τη λάμψη και άλλες νέες τεχνολογίες μνήμης.
Το SDVs επιτρέπει στους κατασκευαστές αυτοκινήτων για να ξεδιπλώσει τα νέα χαρακτηριστικά γνωρίσματα άνεσης, ασφάλειας και ευκολίας μέσω πέρα από - αναπροσαρμογές αέρα (OTA), που επεκτείνουν τη ζωή του οχήματος και που ενισχύουν τη λειτουργία, την έκκληση, και την αποδοτικότητά του. Δεδομένου ότι τα βασισμένα στο λογισμικό χαρακτηριστικά γνωρίσματα γίνονται πιό διαδεδομένα στα οχήματα, η συχνότητα των ενημερώσεων των στοιχείων θα αυξηθεί, και η ταχύτητα και η ευρωστία MRAM θα γίνουν σημαντικότερες.
Ενσωματωμένη τεχνολογία MRAM TSMC η 16FinFET υπερβαίνει τις αυστηρές απαιτήσεις των αυτοκίνητων εφαρμογών με one-million αντοχή κύκλων της, την υποστήριξη για την επανακυκλοφορία ύλης συγκολλήσεως, και την είκοσι ετών διατήρηση στοιχείων σε 150°C.