Όλα τα Προϊόντα

Υπεύθυνος Επικοινωνίας : Shen

Τηλεφωνικό νούμερο : +0086 15112667855

Whatsapp : +8615112667855

DMN4800LSSQ-13 N-Channel 30 επιφάνεια Β 8.6A (TA) 1.46W (TA) τοποθετεί 8-ΈΤΣΙ

Name: DMN4800LSSQ-13 N-Channel 30 επιφάνεια Β 8.6A (TA) 1.46W (TA) τοποθετεί 8-ΈΤΣΙ
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN4800LSSQ-13
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (173 reviews)

Τόπος καταγωγής	ΗΠΑ
Μάρκα	Diodes Incorporated
Πιστοποίηση	RoHS
Αριθμό μοντέλου	DMN4800LSSQ-13
Ποσότητα παραγγελίας min	2500
Τιμή	negotiations
Συσκευασία λεπτομέρειες	Εξέλικτρο ταινιών (TR)
Χρόνος παράδοσης	5-8 ημέρες εργασίας
Όροι πληρωμής	T/T
Δυνατότητα προσφοράς	7500

Επικοινωνήστε μαζί μου για δωρεάν δείγματα και κουπόνια.

Whatsapp:0086 18588475571

Wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε 24ωρη ηλεκτρονική βοήθεια.

Λεπτομέρειες

Πρότυπο	DMN4800LSSQ-13	Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)	30 V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C	8,6A (Ta)	Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14mOhm @ 9A, 10V	Διαρροή ισχύος (Μέγ.)	1,46 W (Ta)

Αφήστε ένα μήνυμα

Περιγραφή προϊόντων

DMN4800LSSQ-13 N-Channel 30 επιφάνεια Β 8.6A (TA) 1.46W (TA) τοποθετεί 8-ΈΤΣΙ

Περιγραφή

Αυτό το MOSFET σχεδιάζεται για να ελαχιστοποιήσει τη -κρατική αντίσταση (RDS (ΕΠΆΝΩ)) και όμως διατηρήστε την ανώτερη απόδοση μετατροπής, που καθιστά την ιδανική για τις υψηλής απόδοσης διοικητικές εφαρμογές δύναμης.

Εφαρμογές

 Backlighting

 διοικητικές λειτουργίες δύναμης

μετατροπείς  ρεύμα-συνεχές ρεύμα

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα

 χαμηλή -αντίσταση

 χαμηλή ικανότητα εισαγωγής

 γρήγορη ταχύτητα μετατροπής

 χαμηλή εισόδου-εξόδου διαρροή

 συνολικά αμόλυβδος & πλήρως RoHS υποχωρητικό

 αλόγονο και αντιμόνιο ελεύθερα. «Πράσινη» συσκευή

 κατάλληλος στα πρότυπα AEC-Q101 για την υψηλή αξιοπιστία

 PPAP ικανό

Μηχανικά στοιχεία

 περίπτωση: Έτσι-8

 υλικό περίπτωσης: Φορμαρισμένο πλαστικό, «πράσινη» φορμάροντας ένωση. UL εκτίμηση 94V-0 ταξινόμησης ευφλέκτου

 ευαισθησία υγρασίας: Επίπεδο 1 ανά j-STD-020

 συνδέσεις τερματικών: Δείτε το διάγραμμα

 τερματικά: Τελειώστε - κασσίτερος μεταλλινών που ανοπτείται πέρα από το χαλκό Leadframe. Solderable ανά mil-STD-202, μέθοδος 208

 βάρος: 0.072g (κατά προσέγγιση)

DMN4800LSSQ-13 N-Channel 30 επιφάνεια Β 8.6A (TA) 1.46W (TA) τοποθετεί 8-ΈΤΣΙ 0

Κατηγορία	Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία
Mfr	Δίοδοι που ενσωματώνονται
Σειρά	Αυτοκίνητος, AEC-Q101
Τύπος FET	N-Channel
Τεχνολογία	MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss)	30 Β
Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C	8.6A (TA)
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω)	4.5V, 10V
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs	14mOhm @ 9A, 10V
Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @	1.6V @ 250µA
Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs	8.7 nC @ 5 Β
Vgs (Max)	±25V
Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds	798 pF @ 10 Β
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET	-
Διασκεδασμός δύναμης (Max)	1.46W (TA)
Λειτουργούσα θερμοκρασία	-55°C ~ 150°C (TJ)
Τοποθετώντας τύπος	Η επιφάνεια τοποθετεί
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών	8-ΕΤΣΙ
Συσκευασία/περίπτωση	8-SOIC (πλάτος 0,154», 3.90mm)

ΑΡΧΙΚΟΣ

Η επιχείρησή μας εξασφαλίζει ότι κάθε batch προϊόντων προέρχεται από το αρχικό εργοστάσιο, και μπορεί να παρέχει τις αρχικές ετικέτες και τις επαγγελματικές εξεταστικές εκθέσεις αντιπροσωπειών.

ΤΙΜΗ

Παρέχουμε ποικίλα κανάλια αναφοράς, και υπογράφουμε τη σύμβαση διαταγής μετά από τη διαπραγμάτευση.

ΣΥΝΑΛΛΑΓΗ

Μετά από την επικοινωνία και τη συμφωνία, θα σας καθοδηγήσουμε για να τακτοποιήσουμε την πληρωμή.

ΚΥΚΛΟΣ ΠΑΡΑΔΟΣΗΣ

Την παράδοση την ίδια ημέρα, γενικά 5-12 εργάσιμες ημέρες, μπορεί να καθυστερήσουν ελαφρώς κατά τη διάρκεια της επιδημίας, θα ακολουθήσουμε ολόκληρη τη διαδικασία.

ΜΕΤΑΦΟΡΑ

Θα επιλέξουμε τον κατάλληλο τρόπο μεταφορών σύμφωνα με τη χώρα σας.

ΣΥΣΚΕΥΑΣΙΑ

Μετά από την επικοινωνία με σας, θα επιλέξουμε την κατάλληλη μέθοδο συσκευασίας σύμφωνα με το βάρος των αγαθών για να εξασφαλίσουμε την ασφαλή παράδοση των αγαθών.